irf540可以用什么代替：irf840用什么代替

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1、没有区别，代替电流20A，什代耐压1200V，用什f用可以互换。代替知识点延伸：IRF540与H20R1203是什代电磁炉中的IGBT，IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。

2、H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。

3、IRFP260M 和 H20R1203 是两种不同型号的功率场效应管（MOSFET），它们有一些区别，并且一般情况下不能直接代换使用。

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如果是小功率的N沟道增强型场效应管，可以用NPN型三极管来勉强替代。但是象IRFZ44这样的大功率MOS管，它的导通电阻很低，三极管和它的差异就比较大，你的电源电压只有7V，三极管的饱和压降就会对电路的效率产生明显的影响。

IRF640B的基本参数是，18A，200V，0.18欧@UGS=10V，对比一下，IRF540N，33A，100V，0.044欧@UGS=10V。

fhp540可以用IRF540N场效应管型号对标来替代。fhp540、IRF540N场效应管二者之间的参数、特点是一致通用的。FHP540场效应管的特点是25A，100V，RDS(on)=37mΩ(max)@VGS=10V低电荷、低反向传输电容开关速度快。

型号为TIP137三极管与IRFP540不能互换，因为TIP137 为PNP 三极管，IRF540 为场效应管。

、IR、VISHAY，封装类型为TO-220AB。特点不同：irf540n IRF在堆叠之前要先了解堆叠设备的规格，一个堆叠最多支持多少个设备，或者最多支持多少个端口。电流不同：irf540n漏极电流，Id最大值：33A。IRF为27A。

场效应管IRFZ44可以用IRF540N三极管代替。

1、如果是小功率的N沟道增强型场效应管，可以用NPN型三极管来勉强替代。但是象IRFZ44这样的大功率MOS管，它的导通电阻很低，三极管和它的差异就比较大，你的电源电压只有7V，三极管的饱和压降就会对电路的效率产生明显的影响。

2、IRF640B的基本参数是，18A，200V，0.18欧@UGS=10V，对比一下，IRF540N，33A，100V，0.044欧@UGS=10V。

3、IRF540是场效管不可用L7805(三端稳压块）代换， IRF540是一个大电流（30A）、较高耐压（100V）、低导通电阻（0.077Ω）的N沟道场效应管。

4、没有区别，电流20A，耐压1200V，可以互换。知识点延伸：IRF540与H20R1203是电磁炉中的IGBT，IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。

5、因为两者的电气参数存在明显的差异，不能直接替换使用。如果需要将IRF540替换成H20R1203，需要重新评估电路参数，确保替换后的电路能够正常工作。反之亦然。

特点不同：irf540n IRF在堆叠之前要先了解堆叠设备的规格，一个堆叠最多支持多少个设备，或者最多支持多少个端口。电流不同：irf540n漏极电流，Id最大值：33A。IRF为27A。

IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极，D的作用是与散热孔铁片相连，T的作用是用来接地。

IRF540是N-MOS管，100V，27A，125W。可用IRF140，BUK436-100B，2SK906，IXTS30N10代换。

Irf530和irf540不是通用的。不同的是：不同的持续电流，不同的开路电阻，不同的满功率温度。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

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